1. W/B用パッド（ペリフェラル）をそのまま活用可能
2. ファインピッチ対応可能（50umピッチまで実現）
3. 金属ポストにより狭ピッチにおいてもギャップが確保され樹脂注入が容易
4. 基板側パッドへのプリソルダー不要。（防錆処理のみで可）
5. SMTと同様、マウント＆リフロー方式で実現可能
   　・SMT部品との同時一括リフローが可能（混載実装に有利）
   　・両面フリップチップ実装が容易
6. トータル投資額の低減に寄与
7. 高信頼性接続を実現（T/C、HTSにおいて抵抗値増加が微量）
   　

　

ＭＰＳ−Ｃ２の実装事例

	MPS-C2	Au-Solder	C4	NCP
構造
バンプ	Wafer Bumping	個片への金バンプ形成	Wafer Bumping	個片への金バンプ形成
再配線（ﾊﾞﾝﾌﾟ位置）	不要（W/Bパッドを使用）	不要（W/Bパッドを使用）	再配線要 または専用にICパッド設計	不要（W/Bパッドを使用）
基板表面処理	Cu （防錆処理）	プリソルダー要	Ni/Au、ﾌﾟﾘｿﾙﾀﾞｰ、Cu	Ni/Au
フラックス	使用	使用　または　 使用せず（N2雰囲気）	使用	使用せず
搭載方法	マウント & リフロー	加圧加熱接合	マウント ＆ リフロー	加圧加熱接合
設備投資	小さい	大きい	小さい	大きい
樹脂封止	接合後封止 Metal PostによりGap確保	接合後封止 AuﾊﾞﾝﾌﾟによりGap確保	接合後封止	接合時に一括 低ギャップでも封止可能 ボイドの発生に注意
ファインピッチ対応	50um	50um	200um	80um
SMTとの混載性	有利（一括リフロー可）	FC、SMT個別対応	有利（一括リフロー可）	FC、SMT個別対応
両面実装性	容易	困難 実装ﾚｲｱｳﾄなど制約有	容易	困難 実装ﾚｲｱｳﾄなど制約有
Low-k層絶縁膜 へのストレス	小さい	小さい Auバンプ形成注意	小さい	大きい Auバンプ形成注意
接続信頼性	低抵抗 信頼性試験　抵抗値変化小	高抵抗 信頼性試験　抵抗値変化大	低抵抗 信頼性試験　抵抗値変化小	高抵抗 信頼性試験　抵抗値変化大
コスト（当社試算比）	◎	△	◎	○
総合	◎	○	○	○

MPS-C2は総合的（コスト/接続信頼性/狭ピッチ対応/混載実装など）に有効な工法です。